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| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW508762 | 高密度快闪记忆体及其制造方法 | 2002.11.01 | 本发明系一种高密度快闪记忆体及其制造方法，主要系利用布植及蚀刻沟渠(trench)技术，先于一晶圆( |
| 2 | TWM266502 | 行动式储存装置 | 2005.06.01 | 本创作系一种行动式储存装置，系设有一壳体，该壳体内设有一基板，该基板上设有一控制电路及一端子插槽，俟 |
| 3 | CN1464562A | 高密度快闪存储器 | 2003.12.31 | 本发明提供一种高密度快闪存储器，主要利用布植及蚀刻沟渠技术，先于一晶圆上分别制作出复数个间隔排列的柱 |
| 4 | CN1104734C | 检测彩色阴极射线管色纯和收敛的电磁方法及电磁元件 | 2003.04.02 | 一种检测彩色阴极射线管色纯和收敛的电磁方法及电磁元件，是在一彩色阴极射线管尾端的电子枪，位于偏转系统 |
| 5 | TW466340 | 一种可利用于电脑自动检测彩色阴极射线管之色纯和收敛的电磁元件及其设计方法 | 2001.12.01 | 本发明系一种可利用于电脑自动检测彩色阴极射线管之色纯和收敛的电磁元件及其设计方法，该方法系于一彩色阴 |
| 6 | CN1293443A | 检测彩色阴极射线管色纯和收敛的电磁元件及其使用方法 | 2001.05.02 | 一种利用电脑自动检测彩色阴极射线管的色纯和收敛的电磁元件及其使用方法,是在一彩色阴极射线管尾端的电子 |
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